SDRAM 편집하기 (부분)

==SDRAM의 구성 및 기술 요소==
===구성===
[[image:20180503_220509.png]]
* Decoded Command(Read / Write)를 수행하기 위해, RAS/CAS를 통하여 해당되는 Memory Bit Cell의 Bit line과 Word line으로 전압을 공급

===기술 요소===
{| class="wikitable"
!요소
! 설명
|-
| Refresh Mode
|DRAM Bit-Cell의 Capacitor 내 전하의 Leakage(누수)를 보상하기 위한 재충전 과정으로 2가지 모드 존재
# Auto Refresh: 외부 Clock이 공급될 경우의 충전
# Self Refresh: CLE=0 (Power down mode)에서의 충전
|- 
| Precharge
| Sense Amplifier를 통해 Memory Cell의 값을 읽을 수 있도록 Bit line을 VDD/2 Level로 충전하는 과정
|-
| RAS(Row Address Strobe)
| Latch에 의해 Bank의 행 주소를 지정할 때 발생하는 신호
|-
| CAS(Column Address Strobe)
| Latch에 의해 Bank의 열 주소를 지정할 때 발생하는 신호
|-
| Burst Mode 
| Memory Cell에 인접한 영역의 Data를 연속하여 Access하는 모드.
|-
| Page Mode
| 먼저 접근한 Row를 기억해 둔 상태에서 Column 주소만 변경하는 모드
|}
* SDRAM 속도에 영향을 미치는 요소인 RAS-to-CAS delay 최소화를 위해 Fast Page Mode 등의 방식이 개발

===휘발성 극복===
SDRAM의 휘발성과 Refresh 극복을 위한 비휘발성 메모리
[[image:SD램_휘발성.png]]
* SDRAM의 휘발성과 Refresh로 인한 전력 소모를 최소화 위한 비휘발성 RAM 상용화 진행 중

*'''[참고] RAS-to-CAS delay와 CAS latency'''
{| class="wikitable"
| RAS-to-CAS delay
| * 메모리에서 모든 행 주소를 읽어내는 신호인 RAS가 발생하는 시간
* RAS와 CAS사이의 지연시간이라 하며, 통상 2~3사이클이 소요
|-
| CAS latency
| * 메모리에서의 열 주소를 지정하는 CAS신호가 발생하여 정확한 열을 찾는 시간
* CAS 지연시간이라 하며, 통상 2~3 사이클이 소요
|}
설명	입력하는 내용	문서에 나오는 결과
기울임꼴	''기울인 글씨''	기울인 글씨
굵게	'''굵은 글씨'''	굵은 글씨
굵고 기울인 글씨	'''''굵고 기울인 글씨'''''	*굵고 기울인 글씨*