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==SDRAM의 구성 및 기술 요소== ===구성=== [[image:20180503_220509.png]] * Decoded Command(Read / Write)를 수행하기 위해, RAS/CAS를 통하여 해당되는 Memory Bit Cell의 Bit line과 Word line으로 전압을 공급 ===기술 요소=== {| class="wikitable" !요소 ! 설명 |- | Refresh Mode |DRAM Bit-Cell의 Capacitor 내 전하의 Leakage(누수)를 보상하기 위한 재충전 과정으로 2가지 모드 존재 # Auto Refresh: 외부 Clock이 공급될 경우의 충전 # Self Refresh: CLE=0 (Power down mode)에서의 충전 |- | Precharge | Sense Amplifier를 통해 Memory Cell의 값을 읽을 수 있도록 Bit line을 VDD/2 Level로 충전하는 과정 |- | RAS(Row Address Strobe) | Latch에 의해 Bank의 행 주소를 지정할 때 발생하는 신호 |- | CAS(Column Address Strobe) | Latch에 의해 Bank의 열 주소를 지정할 때 발생하는 신호 |- | Burst Mode | Memory Cell에 인접한 영역의 Data를 연속하여 Access하는 모드. |- | Page Mode | 먼저 접근한 Row를 기억해 둔 상태에서 Column 주소만 변경하는 모드 |} * SDRAM 속도에 영향을 미치는 요소인 RAS-to-CAS delay 최소화를 위해 Fast Page Mode 등의 방식이 개발 ===휘발성 극복=== SDRAM의 휘발성과 Refresh 극복을 위한 비휘발성 메모리 [[image:SD램_휘발성.png]] * SDRAM의 휘발성과 Refresh로 인한 전력 소모를 최소화 위한 비휘발성 RAM 상용화 진행 중 *'''[참고] RAS-to-CAS delay와 CAS latency''' {| class="wikitable" | RAS-to-CAS delay | * 메모리에서 모든 행 주소를 읽어내는 신호인 RAS가 발생하는 시간 * RAS와 CAS사이의 지연시간이라 하며, 통상 2~3사이클이 소요 |- | CAS latency | * 메모리에서의 열 주소를 지정하는 CAS신호가 발생하여 정확한 열을 찾는 시간 * CAS 지연시간이라 하며, 통상 2~3 사이클이 소요 |}
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