삼성 HBM4E

삼성 HBM4E(Samsung HBM4E, Samsung High Bandwidth Memory 4E)는 삼성전자가 HBM4의 후속·확장형 제품으로 개발한 차세대 고대역폭 메모리로, AI 가속기와 초대규모 데이터센터용 고성능 메모리 수요를 겨냥한다.

개요

삼성 HBM4E는 삼성전자의 HBM(High Bandwidth Memory) 제품군에서 HBM4 다음 단계로 제시된 고성능 DRAM 적층 메모리이다. HBM은 TSV(Through-Silicon Via) 기반 적층 구조와 넓은 인터페이스를 통해 AI 학습, 고성능 컴퓨팅(HPC), 데이터센터 워크로드에서 요구되는 높은 대역폭을 제공하는 메모리 기술이다.

삼성전자는 2026년 3월 미국 새너제이에서 열린 NVIDIA GTC 2026에서 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다. 당시 삼성전자는 HBM4E가 1c D램 공정과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이를 기반으로 하며, 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이라고 밝혔다.

2026년 5월 29일 삼성전자는 12단 HBM4E 샘플을 주요 글로벌 고객에게 출하하기 시작했다고 발표했다. 이 발표에서 삼성전자는 12단 HBM4E가 안정 동작 속도 14Gbps, 확장 가능 속도 최대 16Gbps를 제공하며, 스택당 최대 3.6TB/s의 메모리 대역폭을 구현한다고 설명했다.

배경

HBM은 GPU, AI 가속기, 고성능 ASIC 등 대량의 병렬 연산을 수행하는 반도체에서 연산 장치와 메모리 사이의 데이터 병목을 줄이기 위해 사용된다. AI 모델의 매개변수와 KV 캐시, 학습·추론 데이터가 커질수록 메모리 대역폭과 전력 효율이 전체 시스템 성능을 좌우하는 요소가 된다.

삼성전자는 2026년 2월 HBM4 양산과 상업 출하를 발표하면서 HBM4가 11.7Gbps 동작 속도와 최대 13Gbps 확장 가능 속도, 최대 3.3TB/s 대역폭을 제공한다고 밝혔다. 같은 발표에서 삼성전자는 HBM4E 샘플링을 2026년 하반기에 시작할 계획이라고 언급했으나, 이후 2026년 5월 HBM4E 샘플 출하를 공식화했다.

주요 사양

2026년 6월 15일 확인 기준, 삼성전자가 공개한 HBM4E의 주요 사양은 다음과 같다. 세부 사양은 고객 검증, 제품 구성, 양산 시점에 따라 달라질 수 있다.

항목	내용
제품군	HBM4E
용도	AI 가속기, 초대규모 데이터센터, 고성능 컴퓨팅
공개	2026년 3월 NVIDIA GTC 2026
샘플 출하	2026년 5월 29일 발표
적층	12단 제품 우선 출하
용량	12단 48GB
향후 라인업	8단 32GB, 16단 64GB 구성으로 확대 계획
동작 속도	안정 동작 14Gbps, 확장 가능 최대 16Gbps
대역폭	12단 샘플 기준 스택당 최대 3.6TB/s
공정	1c D램 공정, 삼성 파운드리 4나노 로직 베이스 다이
양산	초기 샘플 출하와 최적화 이후 고객 일정에 맞춰 양산 예정

삼성전자는 HBM4E가 HBM4 양산 경험에서 확보한 공정 안정성과 생산성을 활용하며, 메모리와 로직 구조 전반의 설계·공정 최적화를 통해 성능, 전력 효율, 수율을 개선했다고 설명했다.

기술적 특징

1c D램과 4나노 베이스 다이

삼성 HBM4E는 삼성전자의 6세대 10나노급 D램 공정인 1c 공정과 삼성 파운드리의 4나노 로직 베이스 다이를 활용한다. HBM은 단순한 DRAM 셀 성능뿐 아니라 베이스 다이, 인터페이스, 패키징 품질이 함께 성능을 결정하기 때문에, 삼성전자는 메모리·파운드리·로직 설계·패키징을 모두 보유한 종합반도체 기업 구조를 HBM4E의 강점으로 내세운다.

전력 효율과 열 특성

삼성전자는 12단 HBM4E에서 저전력 설계 기술과 최적화된 패키징 구조를 적용해 이전 세대 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 개선했다고 밝혔다. 이는 고부하 AI 데이터센터에서 발열과 전력 소비를 줄이고 장시간 동작 신뢰성을 높이기 위한 요소이다.

패키징 기술

삼성전자는 GTC 2026에서 기존 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개했다. HCB는 구리 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술로, 고적층 HBM에서 열과 신호 품질 문제를 줄이기 위한 기술로 제시되었다.

HBM4와의 차이

HBM4E는 HBM4를 기반으로 한 확장형 제품으로, 더 높은 속도와 대역폭, 고용량 구성을 지향한다. 삼성전자의 HBM4는 11.7Gbps의 안정 동작 속도와 최대 13Gbps 확장 가능 속도, 스택당 최대 3.3TB/s 대역폭을 제공하는 것으로 발표되었다.

이에 비해 HBM4E는 12단 샘플 기준 안정 동작 14Gbps와 확장 가능 최대 16Gbps를 제시하며, 삼성전자는 HBM4 대비 20% 이상 높은 성능을 제공한다고 설명했다. 용량 면에서도 12단 48GB 제품을 우선 제시하고, 고객 요구에 따라 8단 32GB와 16단 64GB 구성으로 확대할 계획이라고 밝혔다.

NVIDIA 및 AI 인프라와의 관계

삼성전자는 GTC 2026에서 HBM4E와 함께 NVIDIA Vera Rubin 플랫폼용 메모리 토털 솔루션 역량을 강조했다. 전시에서는 Rubin GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2, 서버용 SSD PM1763 등이 함께 소개되었고, 삼성전자는 엔비디아 차세대 AI 플랫폼에 필요한 메모리와 스토리지를 공급할 수 있는 종합 역량을 내세웠다.

2026년 6월 로이터 보도에 따르면 삼성전자 반도체 부문장 전영현 부회장은 젠슨 황 NVIDIA 최고경영자와 만나 차세대 파운드리 협력과 함께 HBM4E, HBM5를 포함한 장기 협력 방안을 논의했다고 밝혔다.

경쟁 구도

HBM 시장은 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 주요 공급사로 경쟁하는 분야이다. HBM4 세대 이후에는 단순 메모리 셀 성능뿐 아니라 베이스 다이 설계, 고객 맞춤형 로직, 고급 패키징, 발열 제어, 공급 안정성이 중요해지고 있다. 로이터는 삼성전자의 HBM4E 샘플 출하가 AI 메모리 시장에서 SK하이닉스와 마이크론이 앞서가던 구도에서 삼성전자가 점유율 회복을 노리는 움직임으로 해석된다고 보도했다.

의의

삼성 HBM4E는 AI 반도체 성능 경쟁이 연산 칩뿐 아니라 메모리 대역폭, 전력 효율, 패키징, 파운드리 기술의 결합 경쟁으로 이동하고 있음을 보여주는 사례이다. 특히 HBM4E는 1c D램, 4나노 베이스 다이, 고적층 패키징, 고객 맞춤형 양산 대응이 결합된 제품으로, 삼성전자가 메모리와 파운드리를 함께 보유한 구조를 AI 인프라 시장에서 활용하려는 전략과 연결된다.

다만 2026년 6월 15일 기준 HBM4E는 샘플 출하 및 고객 검증 단계로 공개되어 있으며, 실제 양산 규모, 주요 고객 인증, 최종 제품별 세부 사양은 향후 고객 일정과 검증 결과에 따라 달라질 수 있다.

같이 보기

• DRAM
• GPU
• AI 가속기
• ASIC
• 메모리 내 처리