절연 게이트 양극성 트랜지스터

절연 게이트 양극성 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistor, IGBT)는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)을 게이트부에 짜 넣은 접합형 트랜지스터다. 게이트-이미터간의 전압이 구동돼 입력 신호에 의해서 온/오프가 생긴 자기소호형이므로, 대전력의 고속 스위칭이 가능한 반도체 소자다.