FeRAM

FeRAM; FRAM; Ferroelectric RAM; 강유전체 메모리

강유전체의 잔류 분극 방향으로 0과 1을 저장하는 비휘발성 메모리

원리

• DRAM 의 커패시터 유전체 자리에 강유전체(PZT, SBT 등)를 쓴다
• 전압을 걸면 강유전체 내부 원자의 위치가 바뀌며 분극이 생기고, 전압을 없애도 그 방향이 남는다(잔류 분극)
• 분극 방향을 읽어 데이터를 판별한다
• 구조는 DRAM 과 비슷한 1T-1C 다

특징

• 비휘발성 — 전원이 꺼져도 데이터가 남는다. 리프레시가 필요 없다
• 저전력 — 플래시보다 쓰기 전압이 훨씬 낮다
• 빠른 쓰기 — 플래시의 블록 소거가 없어 바이트 단위로 즉시 쓴다
• 쓰기 내구성이 매우 높다 — 10¹²~10¹⁴회. 플래시(10⁵회)와 비교가 안 된다
• 파괴적 읽기 — 읽으면 분극이 흐트러지므로 다시 써 넣어야 한다(재기입)
• 집적도가 낮다 — 강유전체 커패시터를 미세화하기 어려워 대용량화가 안 된다

다른 차세대 메모리와

	FeRAM	MRAM	PRAM
저장 원리	강유전체 분극	자화 방향	상변화(결정↔비정질)
쓰기 속도	빠름	빠름	중간
내구성	매우 높음	매우 높음	중간
집적도	낮음	중간	높음

용도

스마트카드, 계량기, 산업용 컨트롤러, RFID 태그처럼 잦은 쓰기와 전원 차단이 함께 일어나는 소용량 기기에 쓰인다.

같이 보기

• MRAM
• PRAM
• NAND Flash Memory
• DRAM