PRAM

PRAM; PCRAM; Phase-change RAM; 상변화 메모리

칼코게나이드 물질의 결정질↔비정질 상변화에 따른 저항 차이로 0과 1을 저장하는 비휘발성 메모리

원리

• 저장 물질로 게르마늄·안티몬·텔루르 화합물(GST)을 쓴다
• 짧고 강한 펄스로 녹였다가 급랭하면 비정질(고저항)이 되고, 약한 펄스로 오래 가열해 결정화하면 결정질(저저항)이 된다
• 읽을 때는 상변화가 일어나지 않을 만큼 작은 전류를 흘려 저항을 잰다
• 저항 차이가 크기 때문에 중간 저항값을 나눠 한 셀에 여러 비트를 담는 것이 가능하다

특징

• 비휘발성 — 전원이 꺼져도 상태가 유지되고 리프레시가 필요 없다
• 바이트 단위 덮어쓰기 — 플래시와 달리 블록을 먼저 지울 필요가 없다
• 집적도가 높다 — 셀 구조가 단순해 FeRAM·MRAM 보다 대용량화에 유리하다
• 쓰기 전류와 발열이 크다 — 녹는점까지 가열해야 해서 소비 전력이 높다
• 쓰기 속도가 중간 — 결정화에 시간이 걸려 FeRAM·MRAM 보다 느리다
• 내구성이 중간 — 플래시보다는 훨씬 높지만 FeRAM·MRAM 에는 못 미친다

다른 차세대 메모리와

	PRAM	FeRAM	MRAM
저장 원리	상변화(결정↔비정질)	강유전체 분극	자화 방향
쓰기 속도	중간	빠름	빠름
내구성	중간	매우 높음	매우 높음
집적도	높음	낮음	중간
쓰기 전력	높음(가열)	낮음	중간

세 가지 모두 DRAM 의 속도와 플래시의 비휘발성을 함께 노린 차세대 비휘발성 메모리다. SSD 와 DRAM 사이의 계층을 메우는 스토리지 클래스 메모리로도 분류된다.

같이 보기

• FeRAM
• MRAM
• 비휘발성 메모리
• DRAM